[发明专利]记忆体元件的电荷储存结构的制造方法及记忆体元件

摘要

本发明是关于一种记忆体元件的电荷储存结构的制造方法及记忆体元件。是一种制造电荷储存堆叠的方法，包含一底介电层、一位于底介电层上的电荷捕捉层以及一顶介电层，每层均具有氮氧化硅且是于至少含有百分之九十氢的同位素氘的反应气体中所形成。底介电层、电荷捕捉层以及顶介电层电荷捕捉层每层均具有其各自的氧及氮浓度。电荷捕捉结构中相对氮浓度足以使材料具有电荷捕捉特性且该材料所具有的能阶差将低于底介电层以及顶介电层的能阶差。电荷捕捉层中所含有的氧将减少可得的悬空键结位置的数目而因此减少该结构中氢捕捉区的数目。

主权项

1、一种记忆元件的电荷储存结构的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：形成一底介电层，是藉由将一硅基材暴露于多数个氧化自由基中，氧化该硅基材而形成，该些氧化自由基包括原位形成夹带氢的自由基，其中该些氧化自由基包括至少90％的同位素氘；在一底层上形成一电荷捕捉结构，是于包括氢的一反应气体存在状态下，形成包括氮氧化硅的一电荷捕捉层，其中该反应气体所含的成分氢包括至少90％的同位素氘；以及在电荷捕捉层上形成一顶介电层，是藉由将该硅基材暴露于该些氧化自由基而氧化形成的该些氧化自由基，包括原位形成夹带氢的自由基，其中该氢包括至少90％的同位素氘。