[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置有效
| 申请号： | 200510051178.X | 申请日： | 2005-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN1664995A | 公开（公告）日： | 2005-09-07 |
| 发明（设计）人： | 田原慈 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/311;G03F7/42;H01J37/32;H05H1/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供在将形成有有机类低介电常数膜和保护膜的被灰化基板的保护膜利用等离子体灰化去除时，与现在相比，可以减轻对有机类低介电常数膜造成的损伤的等离子体处理方法和等离子体处理装置。使等离子体处理室(102)内部的压力在4Pa以下，从第一高频电源(140)用第一频率的高频功率将施加功率为0.81W/cm2以下的功率提供给上部电极(121)，生成O2等离子体，从第二高频电源(150)将具有比第一频率低的第二频率的第二高频功率施加在基座(下部电极)(105)上，生成自身偏置电压。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理方法，其特征为，在等离子体处理室内部的压力为4Pa以下的范围内，使用至少含有氧的处理气体，将形成有有机类低介电常数膜和保护膜的被灰化基板的所述保护膜灰化去除，该方法包括以下工序：施加有第一频率的第一高频功率，生成所述处理气体的等离子体的工序；和在放置有所述被灰化基板的电极上，施加具有比所述第一频率低的第二频率的第二高频功率，生成自身偏置电压的工序，所述第一高频功率的施加功率在0.81W/cm2以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
