[发明专利]发光二极管与其制造方法有效
| 申请号： | 200510051611.X | 申请日： | 2005-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN1819284A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 杜全成;吴仁钊;谢育仁 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L25/075;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种倒装芯片式的发光二极管。此发光二极管包括一发光结构、一第一介电层、一第一金属层、一第二金属层、与一第二介电层。此发光结构包括一第一导电层、一有源层、与一第二导电层。此有源层位于此第一导电层上，而此第二导电层位于此有源层上。此第一介电层位于此发光结构上。此第一金属层亦位于此发光结构上并电连接此第一导电层，且部分的第一金属层位于此第一介电层上。此第二金属层亦位于此发光结构上并电连接此第二导电层，且部分的第二金属层位于此第一介电层上。此第二介电层位于此第一介电层上。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 与其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的制作方法，包括：形成一发光结构，该发光结构包括一第一导电层、一有源层、与一第二导电层，该有源层位于该第一导电层上以做为一发光层，该第二导电层位于该有源层上；形成一第一介电层于该发光结构上；形成一第二介电层于该第一介电层上；形成一第一金属层，该第一金属层位于该发光结构上并电连接该第一导电层，且部分的第一金属层位于该第一介电层上；以及形成一第二金属层，该第二金属层位于该发光结构上并电连接该第二导电层，且部分的第二金属层位于该第一介电层上；其中，该第一介电层与该第二介电层绝缘该第一金属层与该第二金属层；以及其中，部分的该第一介电层为一透明介电层，该第一介电层与该第一金属层及/或该第二金属层的接触面供反射该发光结构发出的光。
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