[发明专利]光致抗蚀剂层的表面处理方法及光致抗蚀剂层的形成方法有效
| 申请号： | 200510051613.9 | 申请日： | 2005-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN1818799A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 黄国书 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/26 | 分类号： | G03F7/26 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种光致抗蚀剂层的表面处理方法，其在一晶片上形成一图案化的光致抗蚀剂层后，使用至少含溴化氢或碘化氢的反应气体对光致抗蚀剂层进行一表面处理步骤，以于光致抗蚀剂层表面形成一硬化层。其中此一表面处理步骤与蚀刻工艺于同位进行。 | ||
| 搜索关键词： | 光致抗蚀剂层 表面 处理 方法 形成 | ||
【主权项】：
1、一种光致抗蚀剂层的表面处理方法，该处理方法为在一晶片上形成一图案化的光致抗蚀剂层后，使用至少含一溴化氢或碘化氢的反应气体对该光致抗蚀剂层进行一表面处理步骤，以于该光致抗蚀剂层表面形成一硬化层，其中该表面处理步骤与蚀刻工艺于同位(in-situ)进行。
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