[发明专利]动态随机存取存储器的制造方法

摘要

一种动态随机存取存储器的制造方法，其先于基底上形成字线结构。接着，于字线结构两侧的基底中形成源极区与漏极区。之后，于字线结构的侧壁形成间隙壁。然后，于基底上形成具有位线接触窗开口与节点接触垫开口的第一介电层。继之，于基底上形成导体层，此导体层填满位线接触窗开口与节点接触垫开口，并且覆盖第一介电层。接着，定义出位线，且于节点接触垫开口中形成节点接触垫。之后，于基底上形成具有节点接触窗开口的第二介电层。然后，于节点接触窗开口中形成节点接触窗。继之，于节点接触窗上形成下电极。

主权项

1、一种动态随机存取存储器的制造方法，包括：于一基底上形成一字线结构；于该字线结构两侧的该基底中形成一源极区与一漏极区；于该字线结构的侧壁形成一间隙壁；于该基底上形成一第一介电层，该第一介电层具有暴露出该源极区的一位线接触窗开口与暴露出该漏极区的一节点接触垫(Node Contact Pad，NCPad)开口；于该基底上形成一导体层，该导体层填满该位线接触窗开口与该节点接触垫开口，并且覆盖该第一介电层；移除部分的该导体层，以于该第一介电层上定义出一位线，并且于该节点接触垫开口中形成一节点接触垫；于该基底上形成一第二介电层，覆盖该位线，且该第二介电层具有暴露出该节点接触垫的一节点接触窗开口；于该节点接触窗开口中形成一节点接触窗，且该节点接触窗与该节点接触垫电连接；以及于该节点接触窗上形成一下电极。