[发明专利]单晶集成电路具集电极电流控制触发的ESD保护电路有效
| 申请号： | 200510051727.3 | 申请日： | 2005-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN1665026A | 公开（公告）日： | 2005-09-07 |
| 发明（设计）人： | M·斯特雷布;K·埃斯马克;C·鲁斯;M·温德;H·戈斯纳 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H02H9/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;张志醒 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 根据本发明的ESD保护电路乃用以保护一单晶集成电路的一输入或输出(10、13)。所述的ESD保护电路在两个供应网络(VSS、VDD)间具有至少一双极晶体管结构(11、12)以及一ESD保护组件(17)。在这个情况中，发射极电连接到输入或输出(10、13)，而基极则电连接到所述的两个供应网络(VSS、VDD)的其中一个。本发明的基础在于当一ESD负载发生于所述的输入或输出(10、13)时，集电极产生一电流信号以触发所述的ESD保护组件(17)。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 集电极 电流 控制 触发 esd 保护 电路 | ||
【主权项】：
1.一种用以保护具有两个供应网络(VSS、VDD)的单晶集成电路的至少一输入或输出(3、10、52；4、13)的静电放电(electrostaticdischarge，ESD)保护电路，其包含：至少一双极晶体管结构(11、12、50、51)，其具有一发射极、一基极以及一集电极；以及一ESD保护组件(17、SCR、SCR1、SCR2)，其电连接到所述的两个供应网络(VSS、VDD)，其中所述的发射极乃电连接到所述的输入或输出(3、10、52；4、13)，而所述的基极则电连接到所述的供应网络(VSS、VDD)的其一，其特征在于所述的集电极产生一电流信号，其用以在输入或输出(3、10、52；4、13)产生一ESD负载的情况下触发所述的ESD保护组件(17、SCR、SCR1、SCR2)。
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