[发明专利]纵向双极型晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200510051916.0 | 申请日： | 2005-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN1658391A | 公开（公告）日： | 2005-08-24 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木元 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/08 | 分类号： | H01L27/08;H01L27/04;H01L21/8249 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供具有增大的电流放大率的纵向双极型晶体管及其制造方法。半导体器件是分别形成CMOS部分的具有第一导电型的源/漏区18c作为双极型部分的发射区18a、具有第二导电型的第一阱区13作为基极区、具有所述第一导电型的第二阱区14或具有所述第一导电型的半导体基板31作为集电极区的纵向双极型晶体管，其特征在于，具有位于所述第一阱区13上的为了规定所述发射极区18a而设置的分离结构Is。 | ||
| 搜索关键词： | 纵向 双极型 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，是分别形成CMOS部分的具有第一导电型的源/漏区作为双极型部分的发射极区、具有第二导电型的第一阱区作为基极区、具有所述第一导电型的第二阱区或具有所述第一导电型的半导体基板作为集电极区的纵向双极型晶体管，其特征在于，具有位于所述第一阱区上的为了规定所述发射极区而设置的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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