[发明专利]多晶硅薄膜晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 200510051939.1 | 申请日： | 2005-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN1822334A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 林家兴;陈昱丞;陈麒麟 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海新高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 楼仙英 |
| 地址： | 台湾省新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种多晶硅薄膜晶体管的制作方法，是在基板上形成非晶硅层之后，即对非晶硅层进行图案化，以形成硅岛图形，使提前定义出组件主动区域。接着，利用单发长脉冲激光束，照射硅岛图形，以诱发硅岛图形内产生超级横向长晶行为，而由非晶硅转变为多晶硅。最后，再依序进行后续薄膜晶体管制作流程，即完成多晶硅薄膜晶体管的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅薄膜晶体管的制作方法，至少包含：形成一非晶硅层于一基板上；图案化该非晶硅层，以形成至少一硅岛图形于该基板上，而定义出至少一组件主动区域；以及利用一单发长脉冲激光束，照射该硅岛图形，使诱发该硅岛图形中产生一超级横向长晶行为，于是，该硅岛图形转变成为一多晶硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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