[发明专利]像素间采用共享晶体管的CMOS图像传感器有效
申请号: | 200510052302.4 | 申请日: | 2005-02-04 |
公开(公告)号: | CN1652345A | 公开(公告)日: | 2005-08-10 |
发明(设计)人: | 何新平;杨宏利 | 申请(专利权)人: | 豪威科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 | 代理人: | 戴建波 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种减少了晶体管数量的CMOS传感器阵列,其中,单个像素是由销接光电二极管和传输晶体管所形成的。输出节点通过传输晶体管接收光电二极管所发出的信号,该输出节点由多个像素所共享。此外,复位晶体管耦合在可选择的低压轨Vss或高压参考电压Vref与输出节点之间。输出晶体管的栅极耦合到输出节点上。复位晶体管和输出晶体管都由多个像素所共享。 | ||
搜索关键词: | 像素 采用 共享 晶体管 cmos 图像传感器 | ||
【主权项】:
1、一种器件,其包括;形成在半导体衬底上的第一销接光电二极管;设置在该第一销接光电二极管和输出节点之间的第一传输晶体管,该第一销接光电二极管和该第一传输晶体管组合形成第一光传感像素;形成在所述半导体衬底上的第二销接光电二极管;设置在该第二销接光电二极管和所述输出节点之间的第二传输晶体管,该第二销接光电二极管和该第二传输晶体管组合形成第二光传感像素;通过参考电压和所述输出节点耦合的复位晶体管;以及耦合到所述输出节点上的输出晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的