[发明专利]在硅衬底上采用磁控溅射法制备氮化铝材料的方法无效
| 申请号： | 200510052401.2 | 申请日： | 2005-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN1824828A | 公开（公告）日： | 2006-08-30 |
| 发明（设计）人： | 杨霏;陈诺夫 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/58 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种在硅衬底上采用磁控溅射法制备氮化铝材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择硅单晶为衬底材料，选择铝或者氮化铝靶材为靶材；步骤2：将硅单晶衬底材料送入磁控溅射仪；步骤3：调整生长室气氛，调整氮气与氩气比例以及气体压力；步骤4：加温，溅射生长氮化铝材料；步骤5：原位保温或者退火，完成制备氮化铝材料工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 采用 磁控溅射 法制 氮化 材料 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在硅衬底上采用磁控溅射法制备氮化铝材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择硅单晶为衬底材料，选择铝或者氮化铝靶材为靶材；步骤2：将硅单晶衬底材料送入磁控溅射仪；步骤3：调整生长室气氛，调整氮气与氩气比例以及气体压力；步骤4：加温，溅射生长氮化铝材料；步骤5：原位保温或者退火，完成制备氮化铝材料工艺。
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