[发明专利]具有最小寄生现象的晶体管结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200510052428.1 | 申请日： | 2005-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN1661810A | 公开（公告）日： | 2005-08-31 |
| 发明（设计）人： | 戴维·R·格林伯格;郑淑珍 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/72 | 分类号： | H01L29/72;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种寄生现象被减为最小的晶体管，此晶体管包括在本征发射极部分顶部具有凹陷的非本征发射极部分的发射极；包括基极，此基极包含与本征发射极部分电接触的本征基极部分和与本征基极部分电接触并被一组发射极/基极间隔电隔离于凹陷的非本征发射极部分的非本征基极部分；以及包括与本征基极部分电接触的收集极。此晶体管还可以包括顶部表面整个被硅化至发射极/基极间隔的非本征基极。此外，此晶体管可以包括晶体管有源区内的基极窗口。还提供了制作上述晶体管的各种方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 最小 寄生 现象 晶体管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双极晶体管，它包含：发射极，它包含本征发射极部分和非本征发射极部分；基极，它包含与所述本征发射极部分电接触的本征基极部分以及与所述本征基极部分电接触并被发射极/基极间隔电隔离于所述非本征发射极部分的非本征基极部分，其中，所述非本征发射极部分被凹陷到所述非本征基极部分的上表面以下；以及收集极，它与所述本征基极部分电接触。
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