[发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200510052442.1 | 申请日： | 2005-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN1677691A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 清水达雄;山口豪;西川幸江 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体器件，具备：以Si为主要成分的半导体衬底；在上述半导体衬底上形成的有源元件，上述有源元件包含在上述半导体衬底上形成的绝缘性金属硅化物薄膜，上述半导体衬底的Si的悬挂键以由上述绝缘性金属硅化物薄膜进行了终端。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，具备：以Si为主要成分的半导体衬底；在上述半导体衬底上形成的有源元件，上述有源元件包含在上述半导体衬底上形成的绝缘性金属硅化物薄膜，上述半导体衬底的Si的悬挂键由上述绝缘性金属硅化物薄膜所终端。
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