[发明专利]多级闪存设备与编程方法无效
| 申请号： | 200510052527.X | 申请日： | 2005-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN1661727A | 公开（公告）日： | 2005-08-31 |
| 发明（设计）人： | 朴东镐;李升根 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄小临;王志森 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种多级闪存设备和编程方法。该多级闪存设备包括：多个存储单元，每个单元存储指示多于两个可能状态的电荷量；以及连接到存储单元的控制电路。该控制电路将编程电压与校验电压交替地施加到所述存储单元，直到所有单元处于期望的状态，并且施加至少一个额外的编程电压到处于最高状态的单元，而不施加校验电压。该方法包括：施加至少一个编程脉冲到单元；校验每个单元已达到期望的状态；选择被编程到最高状态的单元；并施加至少一个额外的编程脉冲到所选择的单元，而不进一步校验这些单元的状态。 | ||
| 搜索关键词： | 多级 闪存 设备 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于将多个存储单元编程到期望状态的方法，每个单元具有多于两个的可能状态，该方法包括：施加至少一个编程脉冲到所述单元；校验每个单元已达到期望状态；选择被编程到最高状态的单元；并且施加至少一个额外编程脉冲到所选择的单元，而不进一步校验这些单元的状态。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510052527.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
