[发明专利]抑制铜迁移的半导体器件

摘要

一种抑制铜迁移的半导体器件，具有：半导体衬底；多个电路区域，形成于半导体衬底上，该电路区域包括在多个供应电压下驱动的电路；一个或多个层间绝缘膜，形成于半导体衬底之上；铜布线，掩埋于一个或多个层间绝缘膜中，同一层的相邻布线之间的最小布线间隔被设定为，由于作用的电压差所造成的相邻布线之间的电场为0.4MV/cm或以下；以及铜扩散预防膜，形成于层间绝缘膜上，覆盖铜布线的上表面。基于新发现的布线故障率与时间有关的知识，提供了一种半导体器件，其具有能够实现长期高可靠性的铜布线。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；多个电路区域，形成于所述半导体衬底上，所述电路区域包括在多个电压下驱动的电路；一个或多个层间绝缘膜，形成于所述半导体衬底之上；铜布线，掩埋于所述一个或多个层间绝缘膜中，相邻布线之间的最小布线间隔被设定为，使得由于作用的电压差所造成的相邻布线之间的电场最大为0.4MV/cm；以及铜扩散预防膜，形成于每个所述层间绝缘膜上，覆盖所述铜布线的上表面。