[发明专利]光学信息记录介质及其制备方法无效
申请号: | 200510052684.0 | 申请日: | 2005-03-03 |
公开(公告)号: | CN1664939A | 公开(公告)日: | 2005-09-07 |
发明(设计)人: | 苅屋田英嗣 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | G11B7/24 | 分类号: | G11B7/24;G11B7/26 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 程金山 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种光学信息记录介质包括氧化物/氮化物绝缘膜,所述的膜具有比SiON膜高的成膜速度,因而适合批量生产。记录介质在长期的环境试验后在折射率上几乎没有变化。ZnS-SiO2制成的第一绝缘层、硅-镍氧化物/氮化物制成的氧化物/氮化物绝缘层、ZnS-SiO2制成的第二绝缘层、GeN制成的第一界面层、Ge2Sb2Te5制成的记录层、GeN制成的第二界面层、ZnS-SiO2制成的第三绝缘层和反射层以上述顺序连续地布置在一透明基片上。在含氩气、氧气和氮气的混合气体气氛中通过反应溅射形成氧化物/氮化物绝缘层。使氧化物/氮化物绝缘层的折射指数低于第一绝缘层和第二绝缘层的折射指数,使无定形状态的记录层的光吸收系数低于晶体状态的记录层的光吸收系数。 | ||
搜索关键词: | 光学 信息 记录 介质 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光学信息记录介质,包括:基片;和敷在基片上的氧化物/氮化物绝缘层和信息记录层;所述氧化物/氮化物绝缘层由主组分和添加到主组分中的辅助组分制成,所述主组分为含Si的基于Si的氧化物/氮化物,所述辅助组分为选自由Ni、Ti、Cr、Co、Ta、Cu和C组成的组中的至少一种元素。
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