[发明专利]功率二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 200510052704.4 | 申请日： | 2005-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN1832205A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 蔡捷弘;曾清秋;郑鸿龙 | 申请（专利权）人： | 敦南科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 文琦;陈肖梅 |
| 地址： | 台湾省台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明为一种功率二极管及其制造方法，该制造方法在制造功率二极管时利用形成的圆柱形P－N接面，通过该圆柱形P－N接面的曲面效应，于功率二极管逆向偏压下产生二极管崩溃路径，达到控制功率二极管的崩溃电压，使得功率二极管内的微缺陷不会影响空乏区的展开，以改善功率二极管的逆向电压突降(snap down)的问题发生。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种功率二极管，其特征是，包括有：一第一半导体层，具有第一传导型；一第二半导体层，邻近该第一半导体层，具有第一传导型，并，掺杂浓度小于该第一半导体层的掺杂浓度；一第三半导体层，以圆柱形接面邻近于该第二半导体层，具有第二传导型。
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