[发明专利]高密度半导体存储器单元和存储器阵列

摘要

公开了一种由位于列位线和行字线交叉点处的晶体管组成的可编程存储器单元。该晶体管具有由列位线形成的栅极和连接至行字线的源极。该存储器单元通过在列位线和行字线之间施加电压电位而编程，以产生被编程的p+区，从而在晶体管栅极下面的衬底中形成p－n二极管。而且，字线由掩埋扩散N+层形成，而列位线由反掺杂的多晶硅层形成。

主权项

1.一种可编程存储器单元，形成于p型半导体衬底中，并用于具有列位线和行字线的存储器阵列中，该存储器单元包括：晶体管，具有p+掺杂的栅极、在该栅极和所述衬底上方之间的栅电介质；以及其中晶体管的第二p+掺杂的半导体区连接到所述的行字线中之一，且其中所述的行字线通过在所述半导体衬底的表面附近的n型区形成。