[发明专利]半导体存储器件、半导体器件、以及它们的制造方法无效
| 申请号： | 200510052774.X | 申请日： | 2005-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN1667809A | 公开（公告）日： | 2005-09-14 |
| 发明（设计）人： | 金森宏治;西坂祯一郎;儿玉典昭;片山功;松浦义宏;石原薰;原田也寸志;峰永德亮;大下千寻 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;H01L21/58;H01L21/322;H01L23/58 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;陆弋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据本发明，在半导体芯片的侧表面和下表面上布置吸附层。然后将半导体芯片贴装在封装的板上，从而在下表面上形成肖特基势垒。用这种结构，经过封装的板的金属离子能够被布置在半导体芯片的侧表面和/或下表面上的缺陷层和肖特基势垒所捕获。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 半导体器件 以及 它们 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电荷存储型半导体器件，其中在半导体器件的侧表面和下表面上形成吸附层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
