[发明专利]高深宽比结构的制备方法无效
| 申请号： | 200510052957.1 | 申请日： | 2005-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN1828824A | 公开（公告）日： | 2006-09-06 |
| 发明（设计）人： | 吕泓岳;张宏隆;李永凯;张智豪 | 申请（专利权）人： | 茂德科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示一种高深宽比结构的制备方法，其中该高深宽比结构可为一沟槽或一导体。本发明在形成一第一屏蔽于一基板上之后，进行一第一蚀刻工艺，其部分移除未被该第一屏蔽覆盖的基板以形成至少一凹部。之后，形成一第二屏蔽于该第一屏蔽上，并进行一第二蚀刻工艺以将该凹部深入该基板之中。若该高深宽比结构为一设置于该基板中的导体，则该第一屏蔽与该第二屏蔽可由介电材料或其它金属材料构成。若该高深宽比结构为一设置于该基板中的沟槽，则该第一屏蔽与该第二屏蔽优选地由介电材料构成。 | ||
| 搜索关键词： | 高深 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高深宽比结构的制备方法，包含下列步骤：于一基板上形成一第一屏蔽；进行一第一蚀刻工艺，部分移除未被该第一屏蔽覆盖的基板以形成至少一凹部；于该第一屏蔽上形成一第二屏蔽；以及进行一第二蚀刻工艺以将该凹部深入该基板之中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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