[发明专利]半导体激光元件有效
| 申请号： | 200510052988.7 | 申请日： | 2005-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN1665085A | 公开（公告）日： | 2005-09-07 |
| 发明（设计）人： | 松村拓明;小谷靖长 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01S5/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体激光元件，在基板(101)的主面上备有第一导电型半导体层(200)、活性层(205)、第二导电型半导体层(210)、所述第二导电型半导体层(210)中使条状区域内电流狭窄而形成的波导通路区域(10)、和在与该波导通路区域大体垂直的端面上设置的共振面(20)形成的半导体激光元件。在与所述共振面(20)接近的区域中，从所述波导通路区域(10)隔间隔，在所述第二导电型半导体层(210)上形成多个凹部(110)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光元件，在基板主面上备有第一导电型半导体层、活性层、与第一导电型不同导电型的第二导电型半导体层、在所述第二导电型半导体层中使条状区域内电变流狭窄而形成的波导通路区域、和与该波导通路区域大体垂直的端面上设置的共振面形成的半导体激光元件中，其特征在于，在与所述共振面接近的区域中，从所述波导通路区域隔间隔，在所述第二导电型半导体层上形成多个凹部。
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