[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200510053022.5 | 申请日： | 2005-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN1664991A | 公开（公告）日： | 2005-09-07 |
| 发明（设计）人： | 野间崇;关嘉则;和久井元明 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李贵亮;杨梧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置及其制造方法，在制造粘贴支承体构成的半导体装置时的切削工序中谋求切削精度的提高。本发明的半导体装置的制造方法具有使刀片沿切割区域(60)移动切削粘贴了玻璃衬底(14)的半导体晶片(10)的工序，其具有以下特征。即，在半导体晶片(10)上的切割区域(60)的两侧形成相互相对的一对对准标记(51a)、(51b)。而且，在切削工序中，在使旋转刀片的位置与切割区域(60)的中心即中心线(61)对准时，利用识别相机检测对准标记(51a)、(51b)的位置，基于该检测结果求出中心线(61)，将旋转刀片的位置对准在该中心线(61)上进行切割。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置的制造方法，对沿划定于半导体晶片表面的切割区域配置一对焊盘、且在所述半导体晶片的表面粘贴支承体构成的层积体，使刀片沿所述切割区域移动，同时，从所述半导体晶片的背面进行切削，切削到支承体的厚度方向的中途，在该层积体上形成切削槽，其特征在于，在所述半导体晶片背面的所述切割区域的两侧形成夹着该切割区域而相互对向的一对对准标记，并利用识别装置检测该一对对准标记的位置，基于该检测结果求出切割区域的中心线，将刀片的位置对准在该中心线上进行切削。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
