[发明专利]检测光掩膜缺陷方法无效
| 申请号： | 200510053111.X | 申请日： | 2005-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN1828857A | 公开（公告）日： | 2006-09-06 |
| 发明（设计）人： | 何明丰;张颐文 | 申请（专利权）人： | 盟图科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/027;G03F7/16;G01N21/88 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 文琦;陈肖梅 |
| 地址： | 台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种检测光掩膜缺陷的方法包含下列步骤：提供一图像，该图像包括一模拟的光掩膜设计图案、至少一模拟的光掩膜缺陷以及一模拟的芯片(或单元)阵列相互重叠；以及另一步骤：检测该模拟的光掩膜缺陷位于该模拟的芯片(或单元)阵列与位于该模拟的光掩膜设计图案上的位置，使得检测者不仅可确认一实体的光掩膜缺陷位于一晶圆的实体的芯片阵列(或位于一光电基板的实体的单元阵列)上的实际位置，更可进一步确认该实体的光掩膜缺陷位于转移在该芯片阵列(或单元阵列)的一实体的光掩膜设计图案上的实际位置。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 光掩膜 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
1.一种检测光掩膜缺陷的方法，用以检测一光掩膜，该光掩膜具有一实体的光掩膜设计图案以及至少一实体的光掩膜缺陷形成于该实体的光掩膜设计图案上，其特征是，该方法包含下列步骤：提供一光掩膜设计图案图像，其显示一模拟的光掩膜设计图案，用以表示该实体的光掩膜设计图案；提供一光掩膜缺陷分布位置图像，其显示至少一模拟的光掩膜缺陷，用以表示该实体的光掩膜缺陷；重叠该光掩膜设计图案图像与该光掩膜缺陷分布位置图像；以及检测该模拟的光掩膜缺陷位于该模拟的光掩膜设计图案上的位置，藉此确认该实体的光掩膜缺陷位于该实体的光掩膜设计图案上的实际位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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