[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510053141.0 | 申请日： | 2005-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN1665017A | 公开（公告）日： | 2005-09-07 |
| 发明（设计）人： | 本山幸一 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/52 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;陆弋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的一种半导体器件及其制造方法实现了出色的制造稳定性。该半导体器件包括半导体衬底，在半导体衬底上形成的由含铜的金属组成的金属互连，和由含铜的金属组成的并连接到金属互连的连接栓塞，其中金属互连包括除铜以外的不同的金属元素，并且在金属互连与连接栓塞之间的连接部分中的不同金属元素的浓度高于在金属互连的中心部分中的不同金属元素的浓度，并且高于除连接部分以外的金属互连的上部中的不同金属元素的浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底；在所述衬底上形成的由含铜的金属构成的金属互连；以及由含铜的金属构成的并连接到所述金属互连的连接栓塞，其中所述金属互连包括除铜以外的不同金属元素，以及在所述金属互连与所述连接栓塞之间的连接部分中的所述不同金属元素的浓度高于在所述金属互连的中心部分的所述不同金属元素的浓度，并且高于在除所述连接部分以外的所述金属互连的上部中的所述不同金属元素的浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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