[发明专利]半导体激光器装置和它的制造方法无效
| 申请号： | 200510053771.8 | 申请日： | 2005-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN1677780A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 别所靖之;畑雅幸;井上大二朗;山口勤 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40;H01S5/32;H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在蓝紫色半导体激光元件中，在上面形成p电极，在下面形成n电极。在蓝紫色半导体激光元件中，形成p型半导体和n型半导体接合面的pn接合面。在红色半导体激光元件中，在上面形成n电极，在下面形成p电极。在红色半导体激光元件中，形成p型半导体和n型半导体接合面的pn接合面。以与蓝紫色半导体激光元件的蓝紫色发光点不重叠的方式，红色半导体激光元件的p电极通过焊料膜H接合在p电极上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器装置，其特征在于，包括：在第一基板上具有射出第一波长光的第一半导体层的第一半导体激光元件；和在第二基板上具有射出第二波长光的第二半导体层的第二半导体激光元件，所述第一和第二波长各自不同，所述第一和第二基板材料各自不同，以在与第一基板的一面垂直的方向上与所述第一半导体激光元件的发光点不重叠的方式，把所述第二半导体激光元件层叠在所述第一半导体激光元件上。
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