[发明专利]改善场发射显示器的纳米碳管电子发射源性能的方法

摘要

一种改善场发射显示器的纳米碳管电子发射源性能的方法，该方法是先取阴极结构半成品，将该阴极结构及金属面板与电泳电极的阴极相连接；在连接完成后，将该欲被电泳沉积的阴极结构一侧与该金属面板保持一固定距离平行设置，再将连接后的该阴极结构及金属面板放置在电泳槽的溶液中，利用电源供应器提供阴阳极直流电压以形成电场，将纳米碳管电泳沉积制作在阴极电极以形成电子发射源；将沉积后的阴极结构取出进行低温简单焙烤，以移除在阴极结构上多余的乙醇溶液。此时，辅助盐氯化铟与电解的氢氧基离子形成氢氧化铟，之后再进行烧结，该阴极电极层上的氢氧化铟将再氧化为氧化铟，增加了该纳米碳管与阴极电极层的电子传导关系。

主权项

1.一种改善场发射显示器的纳米碳管电子发射源性能的方法，其特征在于，所述方法包括：a)先取阴极结构半成品；b)将所述阴极结构半成品进行电泳沉积，将所述阴极结构及金属面板与电泳电极相连接；c)所述阴极结构与金属面板连接完成后，将欲被电泳沉积的阴极结构一侧与所述金属面板保持一固定距离平行设置，并将连接后的阴极结构与金属面板放置在电泳槽的溶液中，利用电源供应器提供阴阳极直流电压以形成电场，以进行纳米碳管电泳沉积制作电子发射源；d)将所述沉积后的阴极结构取出后先以低温单焙烤，以移除在阴极结构上多余的乙醇溶液，此时辅助盐氯化铟与水解的氢氧基离子形成氢氧化铟，之后再进行烧结，所述阴极电极层上的氢氧化铟将再氧化为氧化铟，以增加所述纳米碳管与阴极电极层的电子传导关系。