[发明专利]有机发光显示器及其制造方法有效
| 申请号： | 200510054183.6 | 申请日： | 2005-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN1655655A | 公开（公告）日： | 2005-08-17 |
| 发明（设计）人： | 李宪贞;朴商一 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H05B33/12 | 分类号： | H05B33/12;H05B33/08;H05B33/26;H05B33/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种OLED包括具有电路区域和像素区域的基板。至少一个电路薄膜晶体管(TFT)和至少一个像素TFT分别排列在电路区域和像素区域上。每个TFT具有半导体层、栅电极、源电极和漏电极。像素电极电连接到像素TFT的源和漏电极中的一个。至少一个氮化硅层布置在源和漏电极与基板之间，且在整个像素区域中开口。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 发光 显示器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种有机发光显示器，其包括：包括电路区域和像素区域的基板；分别排列在所述电路区域和所述像素区域上的至少一个电路薄膜晶体管和至少一个像素薄膜晶体管，每个薄膜晶体管包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极；电连接到所述至少一个像素薄膜晶体管的所述源和漏电极中之一的像素电极；以及至少一个氮化硅层布置在所述源和漏电极与所述基板之间，且在整个像素区域中开口。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星SDI株式会社，未经三星SDI株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510054183.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：DPP IV抑制剂和心血管化合物的组合
- 下一篇：磁记录头和制造方法
