[发明专利]T栅的形成无效
| 申请号： | 200510054187.4 | 申请日： | 2005-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN1661779A | 公开（公告）日： | 2005-08-31 |
| 发明（设计）人： | F·林斯肯司;R·佩伦斯 | 申请（专利权）人： | 罗姆及海斯电子材料有限公司;ASML荷兰股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/44 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 给出了在一个衬底上仅使用UV－敏感的光致抗蚀剂形成T栅结构的方法。这种方法使用两个光刻的步骤给出T栅结构，其中每个步骤使用了辐射的单个波长。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 | ||
【主权项】：
1.发明提供了在衬底上形成T-栅的方法，步骤包括：a)提供衬底；b)在衬底上可选择地设置有机平面化层；c)设置紫外敏感的第一光致抗蚀剂层；d)通过掩膜将第一光致抗蚀剂暴露于紫外辐射，且显影曝光的第一光致抗蚀剂形成第一光致抗蚀剂图案，以限定用于T-栅底部的第一开口；e)如果存在平面化层，则转移图案到平面化层；f)使图案对紫外辐射不敏感；g)设置紫外敏感的第二光致抗蚀剂层，第二光致抗蚀剂层是负作用的；h)通过掩膜将第二光致抗蚀剂暴露于紫外辐射，且显影曝光第二光致抗蚀剂形成第二光致抗蚀剂图案以限定第一开口上用于T-栅帽部的第二开口；和i)在第一和第二开口内沉积导电材料以形成T-栅。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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