[发明专利]半导体器件的制造方法及由此制造的半导体器件有效
| 申请号： | 200510054202.5 | 申请日： | 2005-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN1674251A | 公开（公告）日： | 2005-09-28 |
| 发明（设计）人： | 徐凤锡;朴基澈;崔承万;金一龙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3205;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种通过选择性地形成扩散阻挡层来制造半导体器件的方法，和由此制造的半导体器件。在该制造方法中，在半导体衬底上形成了导电图案和覆盖导电图案的绝缘层。构图绝缘层从而形成用于暴露导电图案的至少一部分的开口。然后，利用选择性沉积技术在具有开口的半导体衬底上形成扩散阻挡层。扩散阻挡层在暴露的导电图案上形成的厚度比在暴露于开口内部的绝缘层上的扩散阻挡层的厚度更薄。然后，蚀刻扩散阻挡层，由此形成凹陷(recessed)扩散阻挡层。按照这种方式，防止了金属原子从填充开口的金属插塞或金属互连向绝缘层扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 由此 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括：在半导体衬底上形成导电图案和覆盖该导电图案的绝缘层；构图该绝缘层，由此形成用于暴露所述导电图案的至少一部分的开口；利用选择性沉积技术在所述开口中形成扩散阻挡层，其中该扩散阻挡层在暴露的导电图案上形成的厚度比在所述开口内部暴露的所述绝缘层上的厚度更小；和蚀刻所述扩散阻挡层，由此形成凹陷扩散阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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