[发明专利]在闪存装置的栅极间形成介电层的方法有效
| 申请号： | 200510054271.6 | 申请日： | 2005-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN1691312A | 公开（公告）日： | 2005-11-02 |
| 发明（设计）人： | 朴相昱 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于防止一氧化物膜变厚的方法，这是由于在制造一具有一介电层之闪存装置的方法中，该氧化物膜与一浮动栅极的反应而导致该氧化物膜变厚，其中该介电层系由介于该浮动栅极与一控制栅极之间的至少一氧化物膜所组成。为此目的，在一构成该浮动栅极的硅膜之表面上形成一Si－F键合层。在一氮气体环境中退火处理该Si－F键合层，藉此形成一Si－N键合层。接着形成一介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 装置 栅极 形成 介电层 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造闪存装置的方法，包括下列步骤：形成一构成一浮动栅极之硅膜图案；在一供应氟的气体环境中，在该硅膜图案的表面上形成一硅-氟(Si-F)键合层；在一氮气体环境中执行一退火工艺，以此方式在该硅膜图案的表面上形成一硅-氮(Si-N)键合层；在具有该Si-N键合层的该硅膜图案上形成一具有至少一氧化物膜的介电层；以及在该介电层上形成一用于形成一控制栅极的导电膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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