[发明专利]金属－绝缘层－金属电容的制作方法有效
| 申请号： | 200510054309.X | 申请日： | 2005-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN1832107A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 杨进盛;高境鸿 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/768;H01G4/33 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电容的制作方法。首先提供一基底，且该基底上覆盖有一介电层。接着于该介电层中形成至少一双镶嵌(dual damascene)开口以及至少一电容开口。随后形成一第一导电层，覆盖于该介电层表面以及该电容开口的侧壁与底部并填满该双镶嵌开口，再于该第一导电层表面形成一绝缘层。接着形成一第二导电层于该绝缘层表面，并填满该电容开口。最后进行一平坦化工艺(planarization process)，去除于该介电层表面的该第二导电层、该绝缘层与该第一导电层，以于该电容开口中形成一电容并于该双镶嵌开口中形成一双镶嵌导体。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 绝缘 电容 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种电容的制作方法，该制作方法包括：提供一基底，且该基底上覆盖有一介电层；于该介电层中形成至少一双镶嵌开口以及至少一电容开口；形成一第一导电层，覆盖于该介电层表面以及该电容开口的侧壁与底部并填满该双镶嵌开口；于该第一导电层表面形成一电容介电层；于该绝缘层表面形成一第二导电层，并填满该电容开口；以及进行一平坦化工艺，去除于该介电层表面的该第二导电层、该绝缘层与该第一导电层，以于该电容开口中形成一电容并于该双镶嵌开口中形成一双镶嵌导体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
