[发明专利]应用在湿浸式光刻工艺中的湿浸介质无效
| 申请号： | 200510054310.2 | 申请日： | 2005-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN1831650A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 林思闽 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种应用在湿浸式光刻工艺中的湿浸介质，其中该湿浸介质填满在由一步进机的成像透镜的前表面与一光致抗蚀剂层的上表面所定义的间格空隙中，其特征在于该湿浸介质的pH值与该光致抗蚀剂层的pH值匹配，藉此避免由于该光致抗蚀剂层照光产生光酸由该光致抗蚀剂层渗出到该湿浸介质中所产生的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 应用 湿浸式 光刻 工艺 中的 介质 | ||
【主权项】：
1、一种应用在湿浸式光刻工艺中的湿浸介质，其中该湿浸介质填满在由步进机的成像透镜的前表面与一光致抗蚀剂层的上表面所定义的间格空隙中，其特征在于：该湿浸介质的pH值与该光致抗蚀剂层的pH值匹配，藉此避免由于该光致抗蚀剂层照光产生光酸由该光致抗蚀剂层渗出到该湿浸介质中所产生的影响。
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