[发明专利]测试键结构有效
申请号: | 200510054311.7 | 申请日: | 2005-03-08 |
公开(公告)号: | CN1832161A | 公开(公告)日: | 2006-09-13 |
发明(设计)人: | 陈铭聪;龚佑仪;戎乐天 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544;H01L21/66 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种测试键结构,由基底、封闭回路、间隙壁、第一与第二掺杂区以及接触窗所构成。而封闭回路位于基底上,其中封闭回路具有两条导线以及两个连结部,各连结部连结于导线的一端并环绕一接触区域。间隙壁则设置于封闭回路边缘并覆盖于导线间的基底。再者,第一掺杂区是位于封闭回路以外与间隙壁以外的基底中,第二掺杂区则位于间隙壁底下的基底中。而接触窗是与各接触区域内的第一掺杂区电连接。由于本发明将间隙壁与导线加入测试键结构中,所以能更加符合实际的元件结构,而测得间隙壁对整个元件的影响。 | ||
搜索关键词: | 测试 结构 | ||
【主权项】:
1.一种测试键结构,包括:一基底;一封闭回路,位于该基底上,其中该封闭回路具有两条导线以及两个连结部,各该连结部连结于该些导线的一端并环绕一接触区域;多个间隙壁,设置于该封闭回路边缘并覆盖该些导线之间的该基底;多个第一掺杂区,位于该封闭回路以外与该些间隙壁以外的该基底中;多个第二掺杂区,位于该些间隙壁底下的该基底中;以及多个接触窗,与各该接触区域内的该些第一掺杂区电连接。
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