[发明专利]具有晶片中的双金属镶嵌结构的半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510054331.4 | 申请日： | 2001-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN1645605A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | J·M·弗兰纳;I·莫里 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖春京 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于在晶片中形成双金属镶嵌腐蚀结构的方法，和根据该方法形成的半导体器件。本发明利用两步腐蚀工艺来形成有机硅酸盐电介质层中的双金属镶嵌结构。根据本发明的一个实施例，利用第一低选择性腐蚀剂来进行第一腐蚀步骤，第一低选择性腐蚀剂腐蚀完全通过沟槽电介质(8)并几乎完全通过通孔电介质(12)，余下阻挡层上通孔电介质的小量残余，阻挡层保护由阻挡层(14)所保护的金属化物体。第一腐蚀步骤之后，利用第二高选择性腐蚀剂来执行第二腐蚀步骤。进行第二腐蚀步骤而对阻挡层几乎没有破坏。本发明的可选实施例考虑了“沟槽在先”腐蚀策略。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 晶片 中的 双金属 镶嵌 结构 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有晶片中的双金属镶嵌结构的半导体器件，这里晶片包括一层有机硅酸盐玻璃电介质，其中，双金属镶嵌结构的形成方法包括步骤：第一，利用第一低选择性腐蚀剂腐蚀通过有机硅酸盐玻璃电介质的主要部分，第一腐蚀步骤余下有机硅酸盐玻璃电介质的残余部分；和第二，利用第二高选择性腐蚀剂腐蚀掉有机硅酸盐玻璃电介质的残余部分。
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