[发明专利]电路板及其制造方法无效
| 申请号： | 200510054349.4 | 申请日： | 2005-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN1667819A | 公开（公告）日： | 2005-09-14 |
| 发明（设计）人： | 石丸幸宏;中谷诚一;齐藤义行 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/14 | 分类号： | H01L23/14;H05K1/09;H05K3/00;H01L21/48 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在根据本发明的电路板(100)中，在衬底上，在包括能够在电绝缘态与导电态之间交替变化的相变材料的相变层(10)的至少一部分中，形成导电路径(20、21)，所述导电路径通过相变层(10)中的相变已经转入导电态，其中所述相变材料包括硫族化物半导体，通过激光照射在电绝缘态与导电态之间变化，在结晶相中进入导电态，在非晶相中进入电绝缘态。以这种方式，通过把激光照射到相变层上、利用由能够在电绝缘态与导电态之间交替变化的相变材料形成的相变层中的相变，来形成导电路径，并且因此可以形成尺寸非常小的微型孔和导体。此外，随后的修复、再加工或微调也很容易。 | ||
| 搜索关键词： | 电路板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种电路板，包括：一个衬底，和在该衬底上的一个相变层，所述相变层包含相变材料，该相变材料包括硫族化物半导体，并且通过激光的照射在处于非晶相的电绝缘态和处于结晶相的导电状态之间变换，其中在所述相变层中，由处于导电状态的所述相变材料来限定导电路径。
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