[发明专利]布局数据检验方法、掩模图案检验方法及电路动作检验方法无效
申请号: | 200510054376.1 | 申请日: | 2005-03-10 |
公开(公告)号: | CN1667505A | 公开(公告)日: | 2005-09-14 |
发明(设计)人: | 向井清士;伊藤光实;尾添律子;大桥达夫;辻川洋行 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | G03F1/08 | 分类号: | G03F1/08;H01L21/027;H01L21/82 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种检出方法,从掩模图案抽出制造上成问题的缺陷。掩模图案是使在光刻蚀工序中使用的光掩膜的掩模图案变形,以便得到近似于所需的设计图案的复制图象。该检出方法包括:决定光刻蚀工序中的曝光量的工序;根据曝光量,使用计算机,进行光刻蚀工序的模拟的工序;确认是否能够获得所需要的设计图案的工序;特定故障部位后输出的工序。 | ||
搜索关键词: | 布局 数据 检验 方法 图案 电路 动作 | ||
【主权项】:
1、一种掩模图案检验方法,是从掩模图案中抽出制造上成问题的缺陷的检验方法,其特征在于:所述掩模图案,是使光刻蚀工序中使用的光掩膜变形,以便能够得到近似于所需要的设计图案的复制图象的掩模图案;所述检验方法,包括:决定所述光刻蚀工序中的参数的工序a;根据所述参数,使用计算机,进行所述光刻蚀工序的模拟的工序b;确认是否能够获得所需要的设计图案的工序c;以及特定故障部位后输出的工序d。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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