[发明专利]研磨垫及其制造方法和研磨垫用缓冲层有效
| 申请号： | 200510054380.8 | 申请日： | 2001-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN1651192A | 公开（公告）日： | 2005-08-10 |
| 发明（设计）人： | 小野浩一;下村哲生;中森雅彦;山田孝敏;驹井茂;堤正幸 | 申请（专利权）人： | 东洋橡膠工业株式会社 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;H01L21/304 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种研磨垫，稳定且以高的研磨速度对半导体装置用的硅晶片、存储盘、磁盘、光学透镜等要求高度表面平坦性的材料进行平坦化处理。本发明提供薄板化、槽等的表面加工等生产容易，厚度精度优异、研磨速度高、可得到均匀的研磨速度的研磨垫子；以及没有由个体差异的质量偏差，可容易改变加工图案，可进行微细加工，形成凹凸时不会有毛边的研磨垫子；以及可对应各种被研磨材料，能够把磨粒混合为极其高浓度、且即使分散磨粒，由于磨粒凝聚而引起的划痕产生少的研磨垫。做成研磨层由通过能量线固化的固化性组合物形成，并且上述研磨层表面具有通过光刻法形成的凹凸的研磨垫。做成分散有磨粒的研磨层树脂是具有20～1500eq/ton离子基的树脂的研磨垫。 | ||
| 搜索关键词： | 研磨 及其 制造 方法 缓冲 | ||
【主权项】：
1、一种研磨垫用缓冲层，由研磨层和缓冲层构成，其特征在于，压缩回复率为90％以上。
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