[发明专利]晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200510054446.3 | 申请日： | 2005-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN1702875A | 公开（公告）日： | 2005-11-30 |
| 发明（设计）人： | 徐文植 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/108;H01L21/336;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种晶体管，包括半导体衬底，限定有有源区和器件隔离区；栅极，形成在半导体衬底上；绝缘隔离壁，形成在栅极的各侧壁上；以及源极/漏极结，形成在半导体衬底中栅极两侧，源极/漏极结分别具有非对称结结构，其中，栅极具有设置在衬底有源区上的下部，下栅极部分具有带下表面、上表面和垂直延伸的侧表面的台阶剖面。本发明还提供了一种制造该晶体管的方法。根据该晶体管结构，防止了存储节的杂质浓度增大。因此，实现了漏电流量的减小，由此实现了晶体管刷新特性的改善。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，包括：半导体衬底，限定有有源区和器件隔离区；栅极，形成在该半导体衬底上；绝缘隔离壁，形成在该栅极的各侧壁上；以及源极/漏极结，形成在该栅极两侧处的该半导体衬底中，该源极/漏极结分别具有非对称结结构，其中，该栅极具有设置在该衬底的该有源区上的下部，该下栅极部分具有一台阶剖面，该台阶剖面具有下表面、上表面和垂直延伸的侧表面。
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