[发明专利]单片式白光发射器件有效
| 申请号： | 200510054450.X | 申请日： | 2005-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN1667850A | 公开（公告）日： | 2005-09-14 |
| 发明（设计）人： | 赵济熙;尹皙胡;李庭旭 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种单片式白光发射器件。该单片式白光发射器件中的有源层掺有形成次能带的硅或稀土金属。该单片式白光发射器件中包括的有源层数量为一或二个。当该白光发射器件中包括两个有源层时，在该两个有源层之间插入一覆层。根据这种白光发射结构，可以由半导体发射白光，因此就不需要磷光材料了。传统的白光发射器件需要磷光材料的帮助，与之相比，这种单片式白光发射器件可以低成本简单地制造且可应用到很宽范围的领域中。 | ||
| 搜索关键词： | 单片 白光 发射 器件 | ||
【主权项】：
1.一种白光发射器件，其包括：n型氮化物半导体层；p型氮化物半导体层；以及具有量子阱结构的有源层，其置于所述n型和p型氮化物半导体层之间，其中在所述有源层中同时发生基于量子能级的光发射和由掺杂原子形成的基于掺杂能级的光发射。
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