[发明专利]溶液气化式CVD装置无效
| 申请号： | 200510054728.3 | 申请日： | 2005-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN1754982A | 公开（公告）日： | 2006-04-05 |
| 发明（设计）人： | 矢元久良;腰前伸一 | 申请（专利权）人： | 尤泰克株式会社;矢元久良 |
| 主分类号： | C23C16/448 | 分类号： | C23C16/448 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王玉双;潘培坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种溶液气化式CVD装置，能够以高精度长时间控制CVD用的原料溶液的流量。溶液气化式CVD装置所具备的气化器包括：孔口管，在载气中使一种以上的原料溶液被分散为微粒子状或雾状；一种以上的原料溶液用通路21～25，以相互隔离的方式供给上述一种以上的原料溶液至上述孔口管；载气用通路33，以与上述一种以上的原料溶液相互隔离的方式供给上述载气至上述孔口管；气化管13，使在上述孔口管被分散的上述一种以上的原料溶液气化；细孔，连接上述气化管与上述孔口管，在上述孔口管被分散的上述原料溶液被导入上述气化管。 | ||
| 搜索关键词： | 溶液 气化 cvd 装置 | ||
【主权项】：
1.一种溶液气化式CVD装置，具备气化器，其中上述气化器包括：孔口管，在载气中使一种以上的原料溶液分散为微粒子状或雾状；一个以上的原料溶液用通路，以相互隔离的方式供给上述一种以上的原料溶液至上述孔口管；载气用通路，以与上述一种以上的原料溶液相互隔离的方式供给上述载气至上述孔口管；气化部，使在上述孔口管被分散的上述一种以上的原料溶液气化；细孔，被连接在上述气化部与上述孔口管，将在上述孔口管被分散的上述原料溶液导入于上述气化部。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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