[发明专利]半导体装置、电光学装置、集成电路和电子仪器无效
| 申请号： | 200510054799.3 | 申请日： | 2005-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN1677617A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 广岛安 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/31;H01L21/336;H01L29/786;G02F1/136 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 鉴于形成微细孔的工艺条件，提供一种可以稳定地形成所述微细孔而且在大型玻璃基板上也能稳定得到高性能薄膜晶体管的半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置的制造方法，包括：在基板( 11)上形成基底绝缘膜(121)的工序；在基底绝缘膜(121)上形成第一绝缘膜(122)的工序；在第一绝缘膜(122)上形成直径d1的孔(123)的工序；和在包含孔(123)的第一绝缘膜(122)上形成第二绝缘膜(124)的工序，其中当第二绝缘膜(124)形成工序中基板面内的膜厚分布为±y％的情况下，孔(123)的直径d1满足d1≤6500/y+85nm的关系。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 光学 集成电路 电子仪器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，是至少一个表面采用半导体膜在绝缘性基板形成薄膜晶体管的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在所述基板上形成基底绝缘膜的工序；在所述基底绝缘膜上形成第一绝缘膜的工序；在所述第一绝缘膜上形成直径d1的孔的工序；和在包含所述凹部的所述第一绝缘膜上形成第二绝缘膜的工序，其中当所述第二绝缘膜的形成工序中基板面内的膜厚分布为±y％的情况下，所述孔的直径d1满足d1≤6500/y+85nm的关系。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社，未经精工爱普生株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510054799.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：有机电致发光装置及其电子装置
- 下一篇：半导体装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
