[发明专利]真空处理装置有效
| 申请号： | 200510054822.9 | 申请日： | 2005-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN1670920A | 公开（公告）日： | 2005-09-21 |
| 发明（设计）人： | 石桥启次;田中雅彦;熊谷晃;池本学;汤田克久 | 申请（专利权）人： | 安内华股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/50;C23C16/44;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 何腾云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的课题为，对于利用具有游离基通过的多个贯通孔的隔壁板将真空反应室内分离成等离子体放电空间和基板处理空间、在等离子体放电空间中产生的游离基通过隔壁板的前述多个贯通孔导入基板处理空间、对配置在基板处理空间中的基板进行处理的装置，改善伴随隔壁板整体的更换的装置的运转成本。本发明利用隔壁本体和控制板形成隔壁板，从而解决了上述课题，其中，所述隔壁本体配有多个贯通孔，所述控制板配置在该隔壁本体的等离子体生成空间侧，在与配置在隔壁本体上的前述贯通孔对应的位置处具有游离基通过孔。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种真空处理装置，利用具有游离基可通过的贯通孔的隔壁板，将真空反应室内分离成等离子体生成空间和基板处理空间，将气体导入等离子体生成空间并利用等离子体产生游离基，该游离基通过位于前述隔壁板上的多个贯通孔并导入至基板处理空间，对配置在该基板处理空间中的基板进行处理，其特征在于，由隔壁本体和控制板形成前述隔壁板，所述隔壁本体配有多个贯通孔，所述控制板配置在该隔壁本体的等离子体生成空间侧，在与配备在该隔壁本体上的前述贯通孔相对应的位置上具有游离基通过孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安内华股份有限公司，未经安内华股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510054822.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：冷压成形用树脂片材及冷压成形加工品
- 下一篇：柴油机微粒滤清器的再生
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
