[发明专利]制作用于双栅SOI工艺的标记的方法有效
| 申请号： | 200510054841.1 | 申请日： | 2005-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN1670908A | 公开（公告）日： | 2005-09-21 |
| 发明（设计）人： | J·J·G·P·卢;Y·V·波诺马廖夫;D·W·莱德勒 | 申请（专利权）人： | IMEC公司;康宁克里克菲利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 比利时;BE |
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| 摘要： | 在SOI晶片上制作至少一个用于双栅SOI工艺的标记(MX)的方法，该至少一个标记具有在第一方向上的衍射结构，该衍射结构的设置用于其在对准和覆叠系统中使用期间产生在所述第一方向探测的不对称的衍射图形；SOI晶片包括衬底，衬底上的氧化层和在氧化层顶部的半导体层；双栅SOI工艺在至少一个芯片(D)上进行；该至少一个芯片(D)位于半导体层上并至少包括一个设置为电路区域(C)的内部区域和一个设置为切割线区域(SL)的外部区域；该至少一个标记(MX)限定在切割线区域(SL)中；和双栅SOI工艺包括的工艺步骤有：将半导体层从氧化层分离，将分离的半导体层作为翻转的半导体层附着在一个新衬底的表面上，该半导体层原先的顶表面朝向新衬底的表面，其中该方法通过围绕垂直于所述第一方向的第二方向使用镜象操作提供镜象标记(MX’)，该镜象标记(MX’)是标记(MX)的镜面图象。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 用于 soi 工艺 标记 方法 | ||
【主权项】：
1.在SOI晶片上制作至少一个用于双栅SOI工艺的标记(MX)的方法，该至少一个标记具有在第一方向上的衍射结构，该衍射结构的设置用于其在对准和覆叠系统中使用期间产生在所述第一方向探测的不对称的衍射图形；SOI晶片包括衬底，衬底上的氧化层和在氧化层顶部的半导体层；双栅SOI工艺在至少一个芯片(D)上进行；该至少一个芯片(D)位于半导体层上并至少包括一个设置为电路区域(C)的内部区域和一个设置为切割线区域(SL)的外部区域；该至少一个标记(MX)限定在切割线区域(SL)中；和双栅SOI工艺包括的工艺步骤有：将半导体层从氧化层分离，将分离的半导体层作为翻转的半导体层附着在一个新衬底的表面上，该半导体层原先的顶表面朝向新衬底的表面，其中该方法通过围绕垂直于所述第一方向的第二方向使用镜象操作提供镜象标记(MX’)，该镜象标记(MX’)是标记(MX)的镜面图象。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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