[发明专利]具有气隙镶嵌结构的半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200510054849.8 | 申请日： | 2005-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN1684244A | 公开（公告）日： | 2005-10-19 |
| 发明（设计）人： | R·达阿蒙;V·N·宏 | 申请（专利权）人： | IMEC公司;康宁克里克菲利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/52 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 比利时;BE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种具有气隙镶嵌结构的半导体器件的制造方法。该方法所包括的步骤：沉积和图形化易处理层(PR)，在图形化的易处理层(PR)上沉积第一障碍层(BL1)，沉积金属层(M1)，平整所述金属层(M1)，沉积第二障碍层(BL2)，平整所述第二障碍层(BL2)直至在所述易处理层(PR)上基本没有任何障碍层材料，沉积可浸透性层(PDL)，通过所述可浸透性层(PDL)去除所述易处理层(PR)以形成空气间隙(AG)。 | ||
| 搜索关键词： | 有气 镶嵌 结构 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有气隙镶嵌结构的半导体器件的制造方法，其特征在于，该方法包括步骤：沉积和图形化易处理层(PR)，沉积第一障碍层(BL1)，沉积金属层(M1)，平整所述金属层(M1)，沉积第二障碍层(BL2)，平整所述第二障碍层(BL2)，直至在易处理层(PR)上面基本没有任何障碍材料，在平整所述第二障碍层(BL2)之后沉积可浸透性介质层(PDL)，和，通过所述可浸透性介质层(PDL)来去除所述易处理层(PR)，以形成空气间隙(AG)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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