[发明专利]可降低启始电压偏移的薄膜晶体管结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200510055077.X | 申请日： | 2005-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN1713398A | 公开（公告）日： | 2005-12-28 |
| 发明（设计）人： | 黄坤铭;徐振富 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王玉双;王艳江 |
| 地址： | 台湾省新竹市科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种可降低启始电压偏移的薄膜晶体管结构及其制造方法。晶体管结构至少包含：一基板；一薄膜晶体管元件，形成于该基板上；以及保护层，形成于该薄膜晶体管元件上，其中该保护层是以富硅的氧化硅材料所形成。本发明通过提高形成氧化硅层时所使用的含硅气体量，同时降低形成氧化硅层时所使用的含氧气体量来增加氧化硅层内的悬浮键数，以降低保护层制程中，等离子体离子进入硅基板与闸极氧化层间界面的机会，而增加启始电压的均匀度。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 电压 偏移 薄膜晶体管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管结构，该结构可降低启始电压偏移，其特征在于，至少包含：一基板；一薄膜晶体管元件，形成于该基板上；以及一保护层，形成于该薄膜晶体管元件上，其中该保护层是以富硅的氧化硅材料所形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510055077.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：含硼不锈钢材及其制造方法
- 下一篇：处理压燃式发动机废气的方法
- 同类专利
- 专利分类
