[发明专利]一种制造半导体器件的方法及用该方法制造的半导体器件有效
| 申请号： | 200510055105.8 | 申请日： | 2005-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN1681087A | 公开（公告）日： | 2005-10-12 |
| 发明（设计）人： | B·J·波拉克 | 申请（专利权）人： | IMEC公司;康宁克里克菲利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 比利时;BE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法包括，提供带有在绝缘层上的单晶半导体层的器件，其特点是，在所述半导体层上设置掩模以提供第一掩蔽部分和第一非掩蔽部分；无定形化所述第一非掩蔽部分以产生所述单晶半导体层的第一无定形化部分；在所述第一无定形化部分中注入第一掺杂剂；将所述第一掩蔽部分用作单晶种子向所述半导体器件施加第一固相外延再生长作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.用于制造半导体器件(1)的方法包括：提供带有在绝缘层(5)上的单晶半导体层(3)的器件，其特征在于在所述半导体层(3)上设置掩模(9)以提供第一掩蔽部分和第一非掩蔽部分；无定形化所述第一非掩蔽部分以产生所述单晶半导体层(3)的第一无定形化部分(3b)；在所述第一无定形化部分(3b)中注入第一掺杂剂(7)；将所述第一掩蔽部分用作单晶种子向所述半导体器件(1)施加第一固相外延再生长作用。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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