[发明专利]氮化硅薄膜及其制造方法有效
| 申请号： | 200510055457.3 | 申请日： | 2005-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN1694230A | 公开（公告）日： | 2005-11-09 |
| 发明（设计）人： | A·B·查克拉瓦蒂;S·纳拉辛哈;V·陈;J·霍尔特;S·N·查克拉瓦蒂 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;C23C16/34;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明调整氮化物薄膜的应力级别随着下列因素中的两个或多个因素的变化而变化：用于制造氮化物薄膜的起始材料前体的选择；处理起始材料前体的含氮前体的选择；起始材料前体与含氮前体的比率；薄膜生长的CVD条件的设置；和/或薄膜生长的厚度。通过包含硅、氮和碳的化合物(例如双叔丁基氨基硅烷(BTBAS))与NH3反应制造的快速热化学气相淀积(RTCVD)薄膜可以提供有利性能，例如高应力和蚀刻停止应用的优异性能。氨处理的BTBAS薄膜尤其在提供高应力性能方面是优异的，以及进一步具有在重复退火之后高应力性能的保持能力。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 薄膜 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造高应力氮化物薄膜的方法，包括：在快速热化学气相淀积条件、等离子体增强化学气相淀积条件或低压化学气相淀积条件下，使以任意组合包括Si、N和C的化合物与NH3反应，其中由所述反应步骤形成的高应力薄膜具有超过+10G dynes/cm2的应力供应值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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