[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200510055720.9 | 申请日： | 2005-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN1747099A | 公开（公告）日： | 2006-03-15 |
| 发明（设计）人： | 江川昇;福田保裕 | 申请（专利权）人： | 沖电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01H85/046 | 分类号： | H01H85/046;H01L23/62 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种半导体装置，其目的是保护内部电路的晶体管免受半导体装置的冗余用熔丝的截面所产生的ESD电涌的影响。半导体装置的特征在于，包括：添加了第一导电型杂质的半导体基板、在前述半导体基板表面上所形成的绝缘膜、在前述绝缘膜上所形成的熔丝、与前述熔丝电气连接，且添加第二导电型杂质而形成于前述半导体基板表面上的第一扩散层、与基板电位连接，且添加有较前述半导体基板所添加的第一导电型杂质浓度高的前述第一导电型杂质，形成于前述半导体基板表面上，并与前述第一扩散层、前述半导体基板一起构成二极管的第二扩散层以及与前述第一扩散层电气连接的晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其特征在于其包括：添加有第一导电型杂质的半导体基板；在前述半导体基板表面上形成的绝缘膜；在前述绝缘膜上形成的熔丝；与前述熔丝电气连接，且添加第二导电型杂质而形成于前述半导体基板表面上的第一扩散层；与基板电位连接，且添加有较前述半导体基板所添加的第一导电型杂质浓度高的前述第一导电型杂质，形成于前述半导体基板表面上，并与前述第一扩散层、前述半导体基板一起构成二极管的第二扩散层；以及与前述第一扩散层电气连接的晶体管。
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