[发明专利]可提高制造良率的存储卡的制作方法无效
申请号: | 200510055799.5 | 申请日: | 2005-03-23 |
公开(公告)号: | CN1838154A | 公开(公告)日: | 2006-09-27 |
发明(设计)人: | 林武旭 | 申请(专利权)人: | 韦侨科技股份有限公司 |
主分类号: | G06K19/00 | 分类号: | G06K19/00;B32B37/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种可提高制造良率的存储卡的制作方法,其是提供一电路基板、一封装体护环、一基板护环与一下护板,并于电路基板上制作形成一封装体,装体护环设有一大于封装体的小孔以及基板护环设有一大于电路基板的大孔后,予以排列叠合,并使封装体容置于小孔中,电路基板容置于大孔中,整体同时进行热压合成一体,再经冷却;借此,由于各构件间是于同一平整面进行压合,热压合后并进行冷却,因此压合的密合度较好,可以减少存储卡因热压合后密合度不佳的情形发生以及不良品的产生,可提高存储卡的整体制造良率。 | ||
搜索关键词: | 提高 制造 存储 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种可提高制造良率的存储卡的制作方法,其特征在于,包含有:(A)提供一电路基板,并于所述电路基板上制作形成一封装体;(B)提供一封装体护环,其中,所述封装体护环具有一大于所述封装体的小孔;(C)提供一基板护环,其中,所述基板护环具有一大于所述电路基板的大孔;(D)提供一平板状的下护板;(E)将所述电路基板、所述封装体护环与所述基板护环依序对应排列叠合于所述下护板的一侧表面,其中,所述电路基板与所述封装体是分别容置于与所述大孔与所述小孔中,并于所述封装体护环、所述基板护环、所述电路基板与所述封装体间相互对应的表面上形成有一胶膜;(F)进行整体热压合,对所述电路基板、所述封装体护环、所述基板护环与所述封装体进行整体同时热压合成一体,其中,所述基板护环与所述电路基板的其中异于所述下护板的相同一侧表面是相互平齐;以及(G)进行热压合后的冷却。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于韦侨科技股份有限公司,未经韦侨科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510055799.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。