[发明专利]电路装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200510055802.3 | 申请日： | 2005-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN1670910A | 公开（公告）日： | 2005-09-21 |
| 发明（设计）人： | 臼井良辅;井上恭典 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李贵亮;杨梧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种电路装置及其制造方法，该电路装置是在绝缘膜中埋入电路而构成的，该制造方法包括：通过在第一膜上利用真空粘附法压装包括元件间绝缘膜的具有凹部或贯通部的膜(160)，粘贴构成凹部(190)的第二膜的工序；利用刮浆板等刮取装置(200)将膏状的该元件构成部件的材料埋入该凹部(190)内部的工序；对该材料实施干燥等处理，形成构成电阻器(180)的高电阻部件或构成电容器等的高介电常数部件(170)等填充部件的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 电路 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种电路装置的制造方法，该电路装置是在绝缘膜中埋入电路元件而构成的，该制造方法的特征在于，包括：形成表面具有凹部的膜的工序；向所述凹部内部埋入填充材料，在所述凹部内部形成构成所述电路元件的一部分或全部的填充部件的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋电机株式会社，未经三洋电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510055802.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电气信号连接装置、及使用此装置之探针组装体及探测器装置
- 下一篇：音频设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
