[发明专利]半导体材料残余应力的测试装置及方法无效
申请号: | 200510055896.4 | 申请日: | 2005-03-17 |
公开(公告)号: | CN1834623A | 公开(公告)日: | 2006-09-20 |
发明(设计)人: | 陈涌海;赵玲慧;曾一平;李成基 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | G01N21/21 | 分类号: | G01N21/21;G01N13/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 100083北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种半导体材料内部残余应力的测试装置,包括:一信号采集系统,该信号采集系统用于对采集的信号进行处理,得到样品的应力分布情况;一光学检偏棱镜,该光学检偏棱镜与信号采集系统连接;一光学起偏棱镜,该光学起偏棱镜置于光学检偏棱镜之前;一光弹性调制器,该光弹性调制器置于光学检偏棱镜和光学起偏棱镜之间;一激光光源,该激光光源提供光学系统的信号源。 | ||
搜索关键词: | 半导体材料 残余 应力 测试 装置 方法 | ||
【主权项】:
1、一种半导体材料内部残余应力的测试装置,其特征在于,包括:一信号采集系统,该信号采集系统用于对采集的信号进行处理,得到样品的应力分布情况;一光学检偏棱镜,该光学检偏棱镜与数据采集系统连接;一光学起偏棱镜,该光学起偏棱镜置于光学检偏棱镜之前;一光弹性调制器,该光弹性调制器置于光学检偏棱镜和光学起偏棱镜之间;一激光光源,该激光光源提供光学系统的信号源。
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